王保柱，男，1980年1月，教授，博士，河北科技大学优秀教师。2007年6月毕业于中国科学院半导体研究所，获微电子与固体电子学专业博士学位。2007年7月到248cc永利集团电子工程系系工作，2012-2013年公派赴美国北卡罗来纳州立大学夏洛特分校访问学者。目前的主要研究方向包括微电子与光电子技术、半导体材料与器件、电路与系统应用。主持或者参与国家级及省部级课题多项，在国内外学术期刊发表论文40余篇。截至2024年6月，指导研究生已毕业20人，其中河北省优秀毕业生1人次，国家奖学金2人次，校级优秀硕士学位论文4人次。

代表性成果（论文）

1. Lifetime prediction and analysis of AlGaN-GaN HEMT devices under temperature stress[J].Microelectronics Journal, 2022, 121, 105370（SCI期刊，中科院三区）

2. First principles study of defects in high-k HfO2[J],SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES,2016,11,88（SCI期刊，中科院三区）

3. Theoretical analysis of the influence of band tail defects on PIN InGaN solar cells[J]. Physica Status Solidi (C),2016,5,301（Ei期刊）

4. Characterization of undoped and Si-doped bulk GaN fabricated by hydride vapor phase epitaxy[J]，Physica Status Solidi (C), 2014,11(3-4):573-576（Ei期刊）

5. 金属有机物化学气相沉积生长GaN薄膜的室温热电特性研究[J].物理学报,2015,64(04):319-323.SCI期刊，中科院四区）

代表性成果（项目）

1. 上海微小卫星工程中心项目[2310201]，常用元器件筛选现状及失效模式研究，2020.01-2022.12

2. 河北省自然基金项目[F2013208171]，InGaN太阳能电池中极化效应研究，2013.01-2015.12

3. 国家自然基金项目[61076052]，新型InGaN/Si异质结太阳能电池制备及相关物理问题研究，2010.01-2013.12

4. 国家自然基金项目[20973052]，高介电常数栅介质薄膜可控生长机理、微观结构与电学性质的理论研究，2009.01-2012.12

5. 石家庄科技局项目[09113641A]，LED半导体光源二次光学设计及散热研究，2009.01-2010.12

社会兼职

河北省电子学会常务理事、教育部学位论文评审专家

欢迎做事踏实认真、有较好的数学基础和英语能力，本科为电子信息类或相关专业的同学与我联系，联系邮箱：wangbz@hebust.edu.cn